低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术

电子信息

CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特

点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到

0.3$/W。

本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其

中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层

CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池

上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺

流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu

In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积

CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→

Ni/Al 电极沉积，等。 

试用