一种低动态电阻增强型GaN器件

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该GaN器件能同时实现高频、高效、大功率等优势，与硅器件相比具有更优异的器件特性，可以用于手机快充、5G等领域。与传统充电器相比，相同功率下的GaN充电器体积更小、质量更轻、携带便利。GaN充电器最大充电功率更高，充电速度更快，可满足多台设备同时充电的场景需求。5G基站中主要使用的是氮化镓功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势，与传统通信芯片相比具备更优秀的功率效率、功率密度和宽频信号处理能力。

该GaN器件能同时实现高频、高效、大功率等优势，与硅器件相比具有更优异的器件特性，可以用于手机快充、5G等领域。与传统充电器相比，相同功率下的GaN充电器体积更小、质量更轻、携带便利。GaN充电器最大充电功率更高，充电速度更快，可满足多台设备同时充电的场景需求。5G基站中主要使用的是氮化镓功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势，与传统通信芯片相比具备更优秀的功率效率、功率密度和宽频信号处理能力。

本项目目前仍处于实验室小试阶段，在传统650-V GaN-on-Si平台上制备了该p-GaN HEMT器件，该器件的击穿电压可以达到776V。同时该器件可以有效地抑制表面陷阱和缓冲陷阱，因此经过650-V的高压漏极应力后，该p-GaN HEMT的归一化动态导通电阻仅为1.39。