一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管

2021-04-14 00:00:00

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关键词：发光二极管

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所属领域:

电子信息

项目成果/简介:

本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型

项目阶段:

产业化应用

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