大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化

新一代信息技术

已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下，株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6

英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件

均已完备，可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。

与其他半导体材料相比，SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿

场强，以及高热导率等优异物理特点，是新一代半导体电力电子器件领域的重要发

展趋势。

小批量或小范围应用